報告題目：半導體科學與技術

報告人：李樹深 院士

報告時間：****年*月**日 **：**

報告地點：圖書館*樓學術報告廳

報告人簡介：李樹深院士，中國科學院半導體研究所所長。****年*月出生于河北省保定市。****年畢業于河北師范大學，****、****年先后在西南交通大學和中國科學院半導體研究所獲碩士和博士學位。國家杰出青年基金獲得者，國家創新研究群體“半導體低維結構中的量子調控”學術帶頭人，國家重大科學研究計劃項目（***項目）首席科學家，入選國家級“新世紀百千萬人才工程”，中國電子學會高級會員，享受國務院政府特殊津貼，國家自然科學基金委第**、**屆專家評審組成員。曾先后在日本***電器株式會社筑波研究所、意大利國際理論物理中心和香港科技大學物理系進行光電子器件相關性能預測研究。現任《半導體學報》常務副主編，《***********************》、《中國科學*輯：物理學力學天文學》中英文刊、《物理學進展》、《物理》、科學出版社&**;半導體科學與技術&**;專著叢書編委，多種國內外核心期刊特約評審，黃昆半導體物理科學獎（基金會）秘書長。先后參加和主持國家**、**攀登計劃、國家重大基礎研究計劃項目（***項目）及國家自然科學基金委和中國科學院重大、重點項目多項，兩次獲國家自然科學*等獎和“何梁何利”科學技術進步獎。****年當選為中國科學院院士。??? 主要從事低維半導體物理及器件、光電子器件性能預測、固態量子信息等物理基礎研究。提出了研究半導體耦合量子點（環）電子態結構的*種物理模型，理論上確定了半導體量子點可以吸收垂直入射光，發現了半導體量子點電荷量子比特真空消相干機制，發展了電子通過半導體量子點的量子輸運數值計算方法。近年來，在包括美國科學院院刊和美國物理評論快報在內的國內外重要學術期刊發表論文***余篇，研究工作被國際同行廣泛引用（其中包括國際著名半導體物理專家的綜述性論文），并被寫入專著。