采購內容:高精度光學表面改性設備；

主要功能或目標:*、真空反應腔：①真空反應腔配置內襯套、減少反應腔內表面沉積；②內壁加熱溫度可到***℃或以上；③載物臺：直徑≥*****，兼容*英寸及以下的晶圓片和碎片樣片；④加熱溫度可到***℃或以上，配置溫度傳感器，精度±*℃；⑤反應腔的本底真空≤ **-* ****；真空漏率≤ **-* ****?*/*。 *、真空系統：①預真空室配置單獨的干泵、真空計,預真空室本底真空≤ **-* ****；真空漏率≤ **-* ****?*/*；②真空系統配置工藝用抽速≥ *** **/*的防腐蝕設計干泵，配置抽速≥*** */*的防腐蝕設計渦輪分子泵，本底真空≤ *.**-* ****； *、前驅體源系統：①配置至少*路獨立的液體/固體前體源管路；每路前驅體源管路配置獨立的閥門；*路前驅體源管路種類至少為：*路帶管路加熱的直抽管路；*路帶管路加熱、前驅體罐加熱（最高可到***℃或以上）、并帶有起泡器*******的起泡器管路；②可使用的前驅體源種類至少包括：***, ***, ******，***以及銦源、鎵源、鋅源、鎳源等；③配置至少*路惰性氣體的載氣管路，配置至少*路獨立的氣體源（例如：** 、***、**）管路，每路氣體源管路需配有質量流量計（***）、顆粒過濾器和氣體截止閥；對有毒/腐蝕氣體管路（例如***）需配有旁路******。 *、前驅體源系統：①配置真遠程等離子體方式或電感耦合等離子源；②等離子體源的射頻功率≥ ****，頻率**.** ***；③配有自動匹配盒，可通過固定匹配模式或自動匹配模式穩定地起輝；④配置計算機控制的等離子體源關閉閥（等離子體快門） *、原位實時監測系統：①采用激光橢偏儀實時監測薄膜生長過程，可進行膜厚的在線測量，還可實時監測到原子層沉積工藝每*個循環的每*個步驟；②該裝置軟件與沉積系統操作軟件相兼容，可在沉積系統操作軟件中直接調用膜厚測量值、實現終點檢測；③配置與真空腔相連的特制法蘭與光學窗口，配置快門系統、僅在測量時打開、避免該光學窗口被污染；④測量波長***.***；最快測量時間≤ ****；；

需滿足的要求:設備投入運行后，可以滿足如下需求： *、薄膜沉積能力：滿足****、***、*****、****、***等*、*型半導體薄膜的制備，以及****、*****、****等高*絕緣介質薄膜的制備。除*****外，其它薄膜的薄膜均勻性應滿足：①小于*.*%@*****，②小于*%@*****；重復性應滿足：不同批次的薄膜均勻性偏差小于*%。 *、薄膜性能參數指標：①*英寸硅片上沉積**納米厚度*****非均勻性小于*.*%，漏電流密度小于等于** */** @ ** */**；②*英寸熱氧化硅片上沉積**-**納米厚度****非均勻性小于*.*%，載流子遷移率達到** ***/**以上；③*英寸熱氧化硅片上沉積**-**納米厚度****非均勻性小于*.*%，載流子遷移率達到** ***/**以上，****-***偏壓應力穩定性小于**@*****。